Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Epitaxial (EPI) Silisyòm wafer

Deskripsyon

Epitaxial Silisyòm waferoswa EPI Silisyòm Wafer, se yon wafer nan kouch kristal semi-conducteurs depoze sou sifas la kristal poli nan yon substra Silisyòm pa kwasans epitaxial.Kouch epitaxial la ka menm materyèl ak substra a pa kwasans omojèn epitaksi, oswa yon kouch ekzotik ak bon jan kalite espesifik dezirab pa kwasans etewojèn epitaksi, ki adopte teknoloji kwasans epitaxial gen ladan depo chimik vapè CVD, likid faz epitaksi LPE, osi byen ke gwo bout bwa molekilè. epitaksi MBE pou reyalize pi wo kalite dansite defo ki ba ak bon sifas irrégulière.Silisyòm Epitaxial Wafers yo prensipalman itilize nan pwodiksyon an nan aparèy semi-conducteurs avanse, trè entegre eleman semi-conducteurs ICs, aparèy disrè ak pouvwa, tou itilize pou eleman nan dyod ak tranzistò oswa substra pou IC tankou kalite bipolè, MOS ak BiCMOS aparèy.Anplis de sa, plizyè kouch epitaxial ak epè fim EPI Silisyòm wafers yo souvan itilize nan mikwo-elektwonik, fotonik ak aplikasyon fotovoltaik.

Livrezon

Epitaxial Silisyòm Wafers oswa EPI Silisyòm Wafer nan Western Minmetals (SC) Corporation ka ofri nan gwosè 4, 5 ak 6 pous (100mm, 125mm, 150mm dyamèt), ak oryantasyon <100>, <111>, epilayer rezistans nan <1ohm -cm oswa jiska 150ohm-cm, ak epesè epilayer nan <1um oswa jiska 150um, satisfè kondisyon yo divès kalite nan fini sifas nan grave oswa LTO tretman, chaje nan kasèt ak bwat katon deyò, oswa kòm spesifikasyon Customized nan solisyon an pafè .

Ankèt kounye a

Detay yo

Tags

Espesifikasyon teknik

Epi Silisyòm Wafer

Epitaxial Silisyòm Wafersoswa EPI Silisyòm Wafer nan Western Minmetals (SC) Corporation ka ofri nan gwosè 4, 5 ak 6 pous (100mm, 125mm, 150mm dyamèt), ak oryantasyon <100>, <111>, epilayer rezistans nan <1ohm-cm oswa jiska 150ohm-cm, ak epesè epilayer nan <1um oswa jiska 150um, satisfè kondisyon yo divès kalite nan fini sifas nan grave oswa LTO tretman, chaje nan kasèt ak bwat katon deyò, oswa kòm spesifikasyon Customized nan solisyon an pafè.

Senbòl	Si
Nimewo atomik	14
Pwa atomik	28.09
Kategori Eleman	Metaloid
Gwoup, Peryòd, Blòk	14, 3, P
Crystal estrikti	Diamond
Koulè	Gri fonse
Pwen k ap fonn	1414 °C, 1687,15 K
Pwen bouyi	3265 °C, 3538,15 K
Dansite nan 300K	2.329 g/cm³
Entrinsèk rezistans	3.2E5 Ω-cm
Nimewo CAS	7440-21-3
Nimewo EC	231-130-8

Non.	Atik	Espesifikasyon estanda
1	Karakteristik jeneral
1-1	Gwosè	4"	5"	6"
1-2	Dyamèt mm	100±0.5	125±0.5	150±0.5
1-3	Oryantasyon	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Karakteristik Kouch Epitaxial
2-1	Metòd Kwasans	CVD	CVD	CVD
2-2	Kalite konduktivite	P oswa P+, N/ oswa N+	P oswa P+, N/ oswa N+	P oswa P+, N/ oswa N+
2-3	Epesè μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	Inifòmite epesè	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Rezistivite Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	Inifòmite rezistivite	≤3%	≤5%	-
2-7	Dislokasyon cm-2	<10	<10	<10
2-8	Kalite andigman	Pa gen chip, brouyar oswa po zoranj ki rete, elatriye.
3	Manch karakteristik substrate
3-1	Metòd Kwasans	CZ	CZ	CZ
3-2	Kalite konduktivite	P/N	P/N	P/N
3-3	Epesè μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Epesè Inifòmite max	3%	3%	3%
3-5	Rezistivite Ω-cm	Jan sa nesesè	Jan sa nesesè	Jan sa nesesè
3-6	Inifòmite rezistivite	5%	5%	5%
3-7	TTV μm max	10	10	10
3-8	Bow μm max	30	30	30
3-9	Chaîne μm max	30	30	30
3-10	EPD cm-2 max	100	100	100
3-11	Edge Profile	Awondi	Awondi	Awondi
3-12	Kalite andigman	Pa gen chip, brouyar oswa po zoranj ki rete, elatriye.
3-13	Fini bò dèyè	Grave oswa LTO (5000±500Å)
4	Anbalaj	Kasèt andedan, bwat katon deyò.

Silisyòm Epitaxial Wafersyo prensipalman itilize nan pwodiksyon an nan aparèy semi-conducteurs avanse, trè entegre eleman semi-conducteurs ICs, aparèy disrè ak pouvwa, tou itilize pou eleman nan dyod ak tranzistò oswa substra pou IC tankou kalite bipolè, MOS ak BiCMOS aparèy.Anplis de sa, plizyè kouch epitaxial ak epè fim EPI Silisyòm wafers yo souvan itilize nan mikwo-elektwonik, fotonik ak aplikasyon fotovoltaik.