FZ Silisyòm wafer

Deskripsyon

FZ Single Crystal Silisyòm Wafer,Float-zone (FZ) Silisyòm se trè pi bon kalite Silisyòm ak yon konsantrasyon ki ba anpil nan oksijèn ak enpurte kabòn rale pa vètikal k ap flote zòn raffinage teknoloji.Zòn k ap flote FZ se yon sèl kristal ingot k ap grandi metòd ki diferan de metòd CZ kote kristal grenn yo tache anba ingot Silisyòm polikristalin, ak fwontyè ant kristal grenn ak polikristalin kristal Silisyòm fonn pa chofaj endiksyon bobin RF pou yon sèl kristal.Bobin RF a ak zòn fonn an deplase anlè, ak yon sèl kristal solidifye sou tèt kristal grenn yo kòmsadwa.Flot-zòn Silisyòm asire ak yon distribisyon inifòm dopan, pi ba varyasyon rezistans, mete restriksyon sou kantite enpurte, konsiderab lavi konpayi asirans, segondè sib rezistans ak segondè Silisyòm pite.Silisyòm flote-zòn se yon altènatif pite segondè nan kristal ki grandi nan pwosesis Czochralski CZ.Avèk karakteristik metòd sa a, FZ Single Crystal Silicon se ideyal pou itilize nan fabwikasyon aparèy elektwonik, tankou dyod, tiristor, IGBT, MEMS, dyod, aparèy RF ak MOSFET pouvwa, oswa kòm substra pou patikil segondè-rezolisyon oswa detektè optik. , aparèy pouvwa ak detèktè, segondè efikasite selil solè elatriye.

Livrezon

FZ Single Crystal Silicon Wafer N-tip ak P-kalite konduktiviti nan Western Minmetals (SC) Corporation ka delivre nan gwosè 2, 3, 4, 6 ak 8 pous (50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm ak 200mm) ak oryantasyon <100>, <110>, <111> ak sifas fini nan Kòm-koupe, Lapped, grave ak poli nan pake nan bwat kim oswa kasèt ak bwat katon deyò.

Ankèt kounye a

Detay yo

Tags

Espesifikasyon teknik

FZ Silisyòm wafer

FZ Single Crystal Silisyòm Waferoswa FZ Mono-crystal Silisyòm Wafer nan konduktiviti intrinsèque, n-tip ak p-tip nan Western Minmetals (SC) Corporation ka delivre nan divès gwosè 2, 3, 4, 6 ak 8 pous an dyamèt (50mm, 75mm, 100mm). , 125mm, 150mm ak 200mm) ak pakèt epesè soti nan 279um jiska 2000um nan <100>, <110>, <111> oryantasyon ak sifas fini nan kòm-koupe, lapped, grave ak poli nan pake nan bwat kim oswa kasèt. ak bwat katon deyò.

Non.	Atik	Espesifikasyon estanda
1	Gwosè	2"	3"	4"	5"	6"
2	Dyamèt mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	125±0.5	150±0.5
3	Konduktivite	N/P	N/P	N/P	N/P	N/P
4	Oryantasyon	<100>, <110>, <111>
5	Epesè μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 oswa jan sa nesesè
6	Rezistivite Ω-cm	1-3, 3-5, 40-60, 800-1000, 1000-1400 oswa jan sa nesesè
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	TTV μm max	10	10	10	10	10
9	Bow / Warp μm max	30	30	30	30	30
10	Sifas fini	Kòm-koupe, L/L, P/E, P/P
11	Anbalaj	Bwat kim oswa kasèt andedan, bwat katon deyò.

Senbòl	Si
Nimewo Atomik	14
Pwa atomik	28.09
Kategori Eleman	Metaloid
Gwoup, Peryòd, Blòk	14, 3, P
Crystal estrikti	Diamond
Koulè	Gri fonse
Pwen k ap fonn	1414 °C, 1687,15 K
Pwen bouyi	3265 °C, 3538,15 K
Dansite nan 300K	2.329 g/cm³
Entrinsèk rezistans	3.2E5 Ω-cm
Nimewo CAS	7440-21-3
Nimewo EC	231-130-8

FZ Single Crystal Silisyòm, ak karakteristik prensipal yo nan metòd Float-zone (FZ), se yon ideyal pou itilize nan fabwikasyon aparèy elektwonik, tankou dyod, tiristor, IGBT, MEMS, dyod, aparèy RF ak MOSFET pouvwa, oswa kòm substra pou rezolisyon wo. detektè patikil oswa optik, aparèy pouvwa ak detèktè, segondè efikasite selil solè elatriye.