FZ NTD Silisyòm wafer

Deskripsyon

FZ-NTD Silisyòm wafer, ke yo rekonèt kòm Float-Zone Neutron Transmutation Doped Silisyòm Wafer.Silisyòm san oksijèn, pite segondè ak pi wo rezistans ka jwenn by Float-zone FZ (Zòn Floating) kwasans kristal, High resistivity FZ Silisyòm kristal se souvan dope pa Neutron Transmutation Doping (NTD) pwosesis, nan ki iradyasyon netwon sou Undoped flote zòn Silisyòm fè izotòp Silisyòm kwense ak netwon ak Lè sa a, pouri nan dopan yo vle reyalize objektif la dopan.Atravè ajiste nivo radyasyon netwon an, rezistivite a ka chanje san yo pa entwodwi dopan ekstèn ak Se poutèt sa garanti pite materyèl.FZ NTD Silisyòm wafers ( Float Zone Neutron Transmutation Doping Silisyòm) gen pwopriyete teknik prim nan konsantrasyon dopan inifòm ak distribisyon inifòm rezistivite radial, pi ba nivo enpurte,ak lavi konpayi asirans minorite segondè.

Livrezon

Kòm yon founisè dirijan nan mache nan NTD Silisyòm pou aplikasyon pou pouvwa pwomèt, epi apre demand yo k ap grandi pou pi bon kalite wafers nivo, siperyè FZ NTD Silisyòm wafer.nan Western Minmetals (SC) Corporation ka ofri kliyan nou yo atravè lemond nan divès gwosè sòti nan 2″, 3″, 4″, 5″ ak 6″ dyamèt (50mm, 75mm, 100mm, 125mm ak 150mm) ak pakèt rezistans. 5 a 2000 ohm.cm nan <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> oryantasyon ak kòm-koupe, lapped, grave ak poli fini sifas nan pake nan bwat kim oswa kasèt , oswa kòm spesifikasyon Customized nan solisyon an pafè.

Ankèt kounye a

Detay yo

Tags

Espesifikasyon teknik

FZ NTD Silisyòm wafer

Kòm yon founisè dirijan nan mache nan FZ NTD Silisyòm pou aplikasyon pou pouvwa pwomèt, epi apre demand yo k ap grandi pou pi bon kalite gaufre nivo, siperyè FZ NTD Silisyòm wafer nan Western Minmetals (SC) Corporation ka ofri kliyan nou yo atravè lemond nan divès gwosè sòti nan 2. ″ a 6″ an dyamèt (50, 75, 100, 125 ak 150mm) ak pakèt rezistans 5 a 2000 ohm-cm nan <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> oryantasyon ak fini sifas lapped, grave ak poli nan pake nan bwat kim oswa kasèt, bwat katon deyò oswa kòm spesifikasyon Customized nan solisyon an pafè.

Non.	Atik	Espesifikasyon estanda
1	Gwosè	2"	3"	4"	5"	6"
2	Dyamèt	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	125±0.5	150±0.5
3	Konduktivite	n-kalite	n-kalite	n-kalite	n-kalite	n-kalite
4	Oryantasyon	<100>, <111>, <110>
5	Epesè μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 oswa jan sa nesesè
6	Rezistivite Ω-cm	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 oswa jan sa nesesè
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	TTV μm max	10	10	10	10	10
9	Bow / Warp μm max	30	30	30	30	30
10	Carrier Lifetime μs	>200，>300，>400 oswa jan sa nesesè
11	Sifas fini	Kòm-koupe，Lapped，Poli
12	Anbalaj	Bwat kim anndan, bwat katon deyò.

Paramèt Materyèl Debaz

Senbòl	Si
Nimewo atomik	14
Pwa atomik	28.09
Kategori Eleman	Metaloid
Gwoup, Peryòd, Blòk	14, 3, P
Crystal estrikti	Diamond
Koulè	Gri fonse
Pwen k ap fonn	1414 °C, 1687,15 K
Pwen bouyi	3265 °C, 3538,15 K
Dansite nan 300K	2.329 g/cm³
Entrinsèk rezistans	3.2E5 Ω-cm
Nimewo CAS	7440-21-3
Nimewo EC	231-130-8

FZ-NTD Silisyòm waferse yon enpòtans esansyèl pou aplikasyon pou gwo pouvwa, teknoloji detektè ak nan aparèy semi-conducteurs ki gen nan travay nan kondisyon ekstrèm oswa kote varyasyon rezistans ki ba atravè wafer la obligatwa, tankou pòtay-turn-off thyristor GTO, estatik endiksyon thyristor SITH, jeyan. tranzistò GTR, izole-gate bipolè tranzistò IGBT, siplemantè PIN dyod HV.FZ NTD n-tip Silisyòm wafer se tou kòm prensipal materyèl fonksyonèl pou divès kalite konvètisè frekans, redresman, eleman kontwòl gwo-pouvwa, nouvo aparèy elektwonik pouvwa, aparèy foto-elektwonik, Silisyòm redresman SR, Silisyòm kontwòl SCR, ak konpozan optik tankou lantiy ak fenèt. pou aplikasyon terahertz.