Single Crystal Germanium Wafer / Ingot

Deskripsyon

Single Crystal Germanium Wafer / Ingotoswa jèrmanyòm monokristalin se aparans koulè gri ajan, pwen k ap fonn 937 ° C, dansite 5.33 g / cm³.Yon jèrmanyòm cristalline se frajil epi li gen ti plastisit nan tanperati chanm.Se Germanium pite segondè jwenn nan zòn k ap flote ak dope ak Endyòm ak Galyòm oswa antimwàn jwenn n-tip oswa p-kalite konduktiviti, ki gen gwo mobilite elèktron ak segondè mobilite twou, epi yo ka elektrik chofe pou anti-bouya oswa anti-jivraj. aplikasyon yo.Single Crystal Germanium grandi pa teknoloji vètikal Gradient Freeze VGF asire li estabilite chimik, rezistans korozyon, bon transmisyon, trè wo endèks refraktif ak wo degre de pèfeksyon lasi.

Aplikasyon

Single Crystal Germanium jwenn aplikasyon pwomèt ak lajè, nan ki klas elektwonik yo itilize pou dyod ak tranzistò, enfrawouj oswa optik jèrmanyòm vid oswa fenèt se pou IR optik fenèt oswa disk, konpozan optik yo itilize nan vizyon lannwit ak solisyon D 'tèmografik pou sekirite, mezi tanperati aleka, dife batay ak ekipman siveyans endistriyèl, alalejè dope P ak N kalite Germanium wafer ka itilize tou pou eksperyans efè Hall.Selil klas se pou substrats ki te itilize nan III-V triple-junction solè cellules ak pou pouvwa Konsantre PV sistèm de selil solè elatriye.

Ankèt kounye a

Detay yo

Tags

Espesifikasyon teknik

Single Crystal Germanium

Single Crystal Germanium wafer oswa Ingotak n-tip, p-tip ak konduktiviti ki pa dope ak oryantasyon <100> nan Western Minmetals (SC) Corporation ka delivre nan gwosè 2, 3, 4 ak 6 pous dyamèt (50mm, 75mm, 100mm ak 150mm) ak sifas fini nan grave oswa poli nan pake nan bwat kim oswa kasèt pou wafer ak nan sak plastik sele pou ingot ak bwat katon deyò, ingot polikristalin germanium disponib tou sou demann, oswa kòm spesifikasyon Customized reyalize solisyon an pafè.

Senbòl	Ge
Nimewo Atomik	32
Pwa atomik	72.63
Kategori Eleman	Metaloid
Gwoup, Peryòd, Blòk	14, 4, P
Crystal estrikti	Diamond
Koulè	Gri blan
Pwen k ap fonn	937°C, 1211.40K
Pwen bouyi	2833°C, 3106K
Dansite nan 300K	5.323 g/cm³
Entrinsèk rezistans	46 Ω-cm
Nimewo CAS	7440-56-4
Nimewo EC	231-164-3

Non.	Atik	Espesifikasyon estanda
1	jèrmanyòm wafer	2"	3"	4"	6"
2	Dyamèt mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	Metòd Kwasans	VGF oswa CZ	VGF oswa CZ	VGF oswa CZ	VGF oswa CZ
4	Konduktivite	P-tip / dope (Ga oswa nan), N-tip / dope Sb, Un-doped
5	Oryantasyon	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°
6	Epesè μm	145, 175, (500-1000)
7	Rezistivite Ω-cm	0.001-50	0.001-50	0.001-50	0.001-50
8	Mobilite cm2/Vs	> 200	> 200	> 200	> 200
9	TTV μm max	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10
10	Bow μm max	15	15	15	15
11	Chaîne μm max	15	15	15	15
12	Dislokasyon cm-2 max	300	300	300	300
13	EPD cm-2	<4000	<4000	<4000	<4000
14	Konte patikil yon / wafer max	10 (nan ≥0.5μm)	10 (nan ≥0.5μm)	10 (nan ≥0.5μm)	10 (nan ≥0.5μm)
15	Sifas fini	P/E, P/P oswa jan sa nesesè
16	Anbalaj	Single veso wafer oswa kasèt andedan, bwat katon deyò

Non.	Atik	Espesifikasyon estanda
1	Ingot Germanium	2"	3"	4"	6"
2	Kalite	P-tip / dope (Ga, In), N-tip / dope (Kòm, Sb), Un-doped
3	Rezistivite Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50	0.1-50
4	Carrier Lifetime μs	80-600	80-600	80-600	80-600
5	Longè ingot mm	140-300	140-300	140-300	140-300
6	Anbalaj	Sele nan sak plastik oswa bwat kim andedan, bwat katon deyò
7	Remak	Lengote polikristalin jèrmanyòm ki disponib sou demann

Single Crystal Germaniumjwenn aplikasyon pwomèt ak lajè, nan ki klas elektwonik yo itilize pou dyod ak tranzistò, enfrawouj oswa optik jèrmanyòm vid oswa fenèt se pou IR optik fenèt oswa disk, konpozan optik yo itilize nan vizyon lannwit ak solisyon D 'tèmografik pou sekirite, mezi tanperati aleka, dife batay ak ekipman siveyans endistriyèl, alalejè dope P ak N kalite Germanium wafer ka itilize tou pou eksperyans efè Hall.Selil klas se pou substrats ki te itilize nan III-V triple-junction solè cellules ak pou pouvwa Konsantre PV sistèm de selil solè elatriye.