Arsenid Galyòm GaAs

Deskripsyon

Arsenide GalyòmGaAs se yon dirèk band gap konpoze semiconductor nan gwoup III-V sentèz pa omwen 6N 7N pite segondè galyòm ak asenik eleman, ak grandi kristal pa VGF oswa LEC pwosesis soti nan pite segondè polikristalin galyòm asenide, aparans koulè gri, kristal kib ak estrikti zenk-blende.Avèk dopaj nan kabòn, Silisyòm, Telurium oswa zenk pou jwenn n-tip oswa p-tip ak semi-izolasyon konduktiviti respektivman, yon kristal silendrik InAs ka tranche ak fabrike nan vid ak wafer nan kòm-koupe, grave, poli oswa epi. -pare pou MBE oswa MOCVD epitaxial kwasans.Gallium Arsenide wafer pwensipalman itilize pou fabrike aparèy elektwonik tankou enfrawouj limyè-emisyon dyod, dyod lazè, fenèt optik, tranzistò jaden-efè FET, lineyè nan ICs dijital ak selil solè.Konpozan GaAs yo itil nan frekans radyo ultra-wo ak aplikasyon pou chanje elektwonik rapid, aplikasyon anplifikasyon fèb-siyal.Anplis de sa, Gallium Arsenide substrate se yon materyèl ideyal pou fabrike konpozan RF, frekans mikwo ond ak monolitik ICs, ak aparèy LED nan kominikasyon optik ak sistèm kontwòl pou mobilite satire sal li yo, gwo pouvwa ak estabilite tanperati.

Livrezon

Gallium Arsenide GaAs nan Western Minmetals (SC) Corporation ka apwovizyone kòm yon moso polikristalin oswa yon sèl wafer kristal nan tankou koupe, grave, poli, oswa epi-pare wafers nan yon gwosè 2" 3" 4" ak 6" (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) dyamèt, ak p-tip, n-kalite oswa semi-izolasyon konduktiviti, ak <111> oswa <100> oryantasyon.Spesifikasyon an Customized se pou solisyon an pafè a kliyan nou yo atravè lemond.

Ankèt kounye a

Detay yo

Tags

Espesifikasyon teknik

Arsenide Galyòm

GaAs

Arsenid Galyòm GaAswafers yo pwensipalman itilize pou fabrike aparèy elektwonik tankou enfrawouj limyè-emisyon dyod, dyod lazè, fenèt optik, tranzistò jaden-efè FET, lineyè nan ICs dijital ak selil solè.Konpozan GaAs yo itil nan frekans radyo ultra-wo ak aplikasyon pou chanje elektwonik rapid, aplikasyon anplifikasyon fèb-siyal.Anplis de sa, Gallium Arsenide substrate se yon materyèl ideyal pou fabrike konpozan RF, frekans mikwo ond ak monolitik ICs, ak aparèy LED nan kominikasyon optik ak sistèm kontwòl pou mobilite satire sal li yo, gwo pouvwa ak estabilite tanperati.

Non.	Atik	Espesifikasyon estanda
1	Gwosè	2"	3"	4"	6"
2	Dyamèt mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	Metòd Kwasans	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Kalite konduktivite	N-Type/Si oswa Te-doped, P-Type/Zn-doped, Semi-Izolan/Un-doped
5	Oryantasyon	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°
6	Epesè μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Oryantasyon Flat mm	17±1	22±1	32±1	Notch
8	Idantifikasyon Flat mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Rezistivite Ω-cm	(1-9) E (-3) pou p-tip oswa n-tip, (1-10) E8 pou semi-izolasyon
10	Mobilite cm2/vs	50-120 pou p-tip, (1-2.5) E3 pou n-tip, ≥4000 pou semi-izolasyon
11	Konsantrasyon transpòtè cm-3	(5-50) E18 pou p-tip, (0.8-4) E18 pou n-tip
12	TTV μm max	10	10	10	10
13	Bow μm max	30	30	30	30
14	Chaîne μm max	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Sifas fini	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Anbalaj	Single veso wafer sele nan sak konpoze aliminyòm.
18	Remak	Wafer GaAs klas mekanik disponib tou sou demann.

Fòmil lineyè	GaAs
Pwa molekilè	144.64
Crystal estrikti	Zenk blenn
Aparans	Gri solid cristalline
Pwen k ap fonn	1400°C, 2550°F
Pwen bouyi	N/A
Dansite nan 300K	5.32 g/cm³
Gap enèji	1.424 eV
Entrinsèk rezistans	3.3E8 Ω-cm
Nimewo CAS	1303-00-0
Nimewo EC	215-114-8

Arsenid Galyòm GaAsnan Western Minmetals (SC) Corporation ka apwovizyone kòm yon moso polikristalin oswa yon sèl wafer kristal nan tankou-koupe, grave, poli, oswa epi-pare wafers nan yon gwosè 2" 3" 4" ak 6" (50mm, 75mm, 100mm). , 150mm) dyamèt, ak p-tip, n-kalite oswa semi-izolasyon konduktiviti, ak <111> oswa <100> oryantasyon.Spesifikasyon an Customized se pou solisyon an pafè a kliyan nou yo atravè lemond.