Indium Antimonide InSb

Deskripsyon

Indium Antimonide InSb, yon semi-conducteurs nan gwoup III-V kristal konpoze ak estrikti zenk-blend lasi, se sentèz pa 6N 7N segondè pite Indium ak eleman antimwàn, ak grandi kristal sèl pa metòd VGF oswa likid Encapsulated Czochralski LEC metòd soti nan plizyè zòn rafine ingot polikristalin, ki ka tranche ak fabrike nan wafer ak blòk apre sa.InSb se yon semi-kondiktè tranzisyon dirèk ak yon espas bann etwat nan 0.17eV nan tanperati chanm, segondè sansiblite a 1-5μm longèdonn ak ultra segondè mobilite sal.Indium Antimonide InSb n-tip, p-tip ak semi-izolasyon konduktiviti nan Western Minmetals (SC) Corporation ka ofri nan gwosè 1″ 2″ 3″ ak 4″ (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) dyamèt, oryantasyon < 111> oswa <100>, ak fini sifas wafer nan kòm-koupe, lapped, grave ak poli.Indium Antimonide InSb sib de Dia.50-80mm ak un-doped n-tip disponib tou.Pandan se tan, polikristalin Endyòm antimonid InSb (multikristal InSb) ak gwosè nan boul iregilye, oswa vid (15-40) x (40-80) mm, ak ba wonn nan D30-80mm yo tou Customized sou demann nan solisyon an pafè.

Aplikasyon

Indium Antimonide InSb se yon sèl substrate ideyal pou pwodiksyon anpil konpozan ak aparèy modèn, tankou solisyon avanse tèmik D, sistèm FLIR, eleman sal ak eleman efè magnetoresistance, sistèm gid misil enfrawouj, trè reponn enfrawouj Capteur fotodetektè. ,-wo presizyon mayetik ak rotary rezistivite Capteur, etalaj fokal plan, epi tou adapte kòm yon sous radyasyon terahertz ak nan teleskòp espas enfrawouj astwonomik elatriye.

Ankèt kounye a

Detay yo

Tags

Espesifikasyon teknik

Antimonid Endyòm

InSb

Endyòm Antimonide Substrate(InSb Substra, InSb Wafer) n-tip oswa p-tip nan Western Minmetals (SC) Corporation ka ofri nan gwosè 1" 2" 3" ak 4" (30, 50, 75 ak 100mm) dyamèt, oryantasyon <111> oswa <100>, ak ak sifas wafer nan lapped, grave, fini poli.Indium Antimonide Single Crystal bar (InSb Monocrystal bar) kapab tou apwovizyone sou demann.

Antimonid EndyòmPolycrystalline (InSb Polycrystalline, oswa multicrystal InSb) ak gwosè nan boul iregilye, oswa vid (15-40) x (40-80) mm yo tou Customized sou demann nan solisyon an pafè.

Pandan se tan, Indium Antimonide Target (InSb Target) nan Dia.50-80mm ak un-doped n-tip disponib tou.

Non.	Atik	Espesifikasyon estanda
1	Endyòm Antimonide Substrate	2"	3"	4"
2	Dyamèt mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Metòd Kwasans	LEC	LEC	LEC
4	Konduktivite	P-tip / Zn, Ge dope, N-tip / Te-dope, Un-doped
5	Oryantasyon	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Epesè μm	500±25	600±25	800±25
7	Oryantasyon Flat mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Idantifikasyon Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilite cm2/Vs	1-7E5 N/non-dope, 3E5-2E4 N/Te-dope, 8-0.6E3 oswa ≤8E13 P/Ge-dope
10	Konsantrasyon transpòtè cm-3	6E13-3E14 N/pa dope, 3E14-2E18 N/Te-dope, 1E14-9E17 oswa <1E14 P/Ge-dope
11	TTV μm max	15	15	15
12	Bow μm max	15	15	15
13	Chaîne μm max	20	20	20
14	Dislokasyon Dansite cm-2 max	50	50	50
15	Sifas fini	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Anbalaj	Single veso wafer sele nan sak aliminyòm.

Non.	Atik	Espesifikasyon estanda
Non.	Atik	Indium Antimonide polikristalin	Endyòm Antimonide Sib
1	Konduktivite	Undoped	Undoped
2	Konsantrasyon transpòtè cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilite cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Gwosè	15-40x40-80 mm	D(50-80) milimèt
5	Anbalaj	Nan sache aliminyòm konpoze, bwat katon deyò

Fòmil lineyè	InSb
Pwa molekilè	236.58
Crystal estrikti	Zenk blenn
Aparans	Gri fonse kristal metalik
Pwen k ap fonn	527 °C
Pwen bouyi	N/A
Dansite nan 300K	5.78 g/cm³
Gap enèji	0.17 eV
Entrinsèk rezistans	4E(-3) Ω-cm
Nimewo CAS	1312-41-0
Nimewo EC	215-192-3

Indium Antimonide InSbwafer se youn substra ideyal pou pwodiksyon anpil konpozan ak aparèy modèn, tankou solisyon avanse tèmik D, sistèm FLIR, eleman sal ak eleman efè magnetoresistance, sistèm gid misil enfrawouj, trè-reponn Capteur fotodetektè enfrawouj, segondè. -presizyon mayetik ak rotary rezistivite Capteur, etalaj fokal plan, epi tou adapte kòm yon sous radyasyon terahertz ak nan teleskòp espas enfrawouj astwonomik elatriye.